Флэш-память — для компьютеров новой архитектуры

18 сентября в НГТУ НЭТИ ученый с мировым именем Владимир Алексеевич Гриценко из Института физики полупроводников СО РАН прочитает лекцию «Физические основы ФЛЭШ-памяти терабитного масштаба для устройств искусственного интеллекта».

Будут рассмотрены физические основы современной памяти, сохраняющей информацию при отключенном питании, проанализированы принципы действия флэш-памяти, мемристорной, ферроэлектрической, фазовой и магниторезистивной памяти терабитного масштаба. Энергонезависимая память находит широкое применение в матрицах флэш-памяти. Такая память разрабатывается для двух новых перспективных применений. Первое связано с разработкой универсальной памяти, которая сочетает неограниченное число циклов оперативной и энергонезависимость флэш-памяти. Второе применение направлено на разработку нейроморфных устройств искусственного интеллекта. Резистивная память имитирует работу синапса, соединяющего нейроны в мозге. В компьютере на основе мемристорной памяти не будет разделена память и процессор, такой компьютер будет иметь принципиально иную архитектуру по сравнению с современными Фон Неймановскими компьютерами, не будет требовать загрузки, будет начинать работать с момента выключения.

Приглашаются все желающие: 18 сентября, 12:00, актовый зал 1 корпуса НГТУ НЭТИ (4 этаж).